decay of Th populating the excited status in Ra

西尾 勝久; 池添 博; 光岡 真一; Lu, J.*

Physical Review C, 61(3), p.034309_1 - 034309_4, 2000/03

https://doi.org/10.1103/PhysRevC.61.034309

Raの2つの励起準位に遷移するThの新しい崩壊を測定した。ThはSi+Ptの融合反応による25nチャンネルで生成された。Siはタンデム加速器で加速され、Thは反跳生成核分離装置で分離された。Raの2つの低励起準位への遷移割合は2.6%及び5.1%で、第2励起への割合が高かった。Raの第2励起準位は834keVと、本研究で初めて決定された。これにより中性子数が125で陽子数が偶数のアイソトーンの第2励起準位(J=)は、Z=88まで拡張された。これらアイソトーンの2つの励起準位に遷移する親核の崩壊の遷移割合の系統性は、殻モデルによる崩壊理論でほぼ良く説明された。このことはこれらアイソトーンの2つの励起準位では、いずれも2fと2f軌道を占有する中性子ホールに基づくものであると考えられた。